Wolfspeed Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, TO-247, C3M
- RS-artikelnummer:
- 168-4886
- Tillv. art.nr:
- C3M0065100K
- Tillverkare / varumärke:
- Wolfspeed
Antal (1 rör med 30 enheter)*
6 257,43 kr
(exkl. moms)
7 821,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 1 230 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 + | 208,581 kr | 6 257,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-4886
- Tillv. art.nr:
- C3M0065100K
- Tillverkare / varumärke:
- Wolfspeed
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Wolfspeed | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 35A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1kV | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | C3M | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 90mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 113.5W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 19 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 23.6mm | |
| Längd | 16.13mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.21 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Wolfspeed | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 35A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1kV | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie C3M | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 90mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 113.5W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 19 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 23.6mm | ||
Längd 16.13mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.21 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc.
New C3M Silicon Carbide (SiC) MOSFET technology
Minimum of 1000 V Drain-Source Breakdown Voltage across the entire operating temperature range
New low-impedance package with driver source
8 mm of creepage/clearance between Drain and Source
High-speed switching with low output capacitance
High blocking voltage with low Drain-Source On-State Resistance
Avalanche ruggedness
Fast intrinsic diode with low Reverse Recovery