IXYS Type N-Channel MOSFET, 110 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PLUS264

Se alla MOSFETs

Antal (1 rör med 25 enheter)*

5 767,775 kr

(exkl. moms)

7 209,725 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
25 +230,711 kr5 767,78 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4726
Tillv. art.nr:
IXFB110N60P3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PLUS264

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

56mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

245nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.89kW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

20.29mm

Height

26.59mm

Width

5.31 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series


A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar