N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS123NH6327XTSA1

RS-artikelnummer:: 165-5862
Tillv. art.nr:: BSS123NH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS123NH6327XTSA1

Pris (ex. moms) Var (i en rulle med 3000)

0,369 kr

(exkl. moms)

0,461 kr

(inkl. moms)

14500 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per rulle**
3000 +	0,369 kr	1 107,00 kr

RS-artikelnummer:: 165-5862
Tillv. art.nr:: BSS123NH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

BSS123N OptiMOS Small Signal Transistor Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	190 mA
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Series	OptiMOS™
Package Type	SOT-23
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	10 Ω
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage	0.8V
Maximum Power Dissipation	500 mW
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Width	1.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs	0.6 nC @ 10 V
Length	2.9mm
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1mm

N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS123NH6327XTSA1

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs