Wolfspeed Serie Typ N Kanal, MOSFET, 193 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben

Antal (1 låda med 10 enheter)*

69 568,02 kr

(exkl. moms)

86 960,02 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 10 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per låda*
10 +6 956,802 kr69 568,02 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
162-9720
Tillv. art.nr:
CAS120M12BM2
Tillverkare / varumärke:
Wolfspeed
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Wolfspeed

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

193A

Maximal källspänning för dränering Vds

1.2kV

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

30mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

925W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25 V

Framåtriktad spänning Vf

2.4V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

378nC

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Transistorkonfiguration

Serie

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

61.4 mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

106.4mm

Höjd

30mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules


Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.

• MOSFET turn-off tail current and diode reverse recovery current are effectively zero.

• Ultra low loss high-frequency operation

• Ease of paralleling due to SiC characteristics

• Normally-off, fail-safe operation

• Copper baseplate and aluminium nitride insulator reduce thermal requirements

MOSFET-transistorer, Wolfspeed