Nexperia Type N-Channel MOSFET, 3 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV100ENEAR

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

46,425 kr

(exkl. moms)

58,025 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 25 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 2 050 enhet(er) från den 07 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 +1,857 kr46,43 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
153-0784
Tillv. art.nr:
PMV100ENEAR
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

118mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.6nC

Maximum Power Dissipation Pd

4.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.4 mm

Standards/Approvals

No

Height

1mm

Length

3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

30 V, N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Logic level compatible

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

AEC-Q101 qualified

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

relaterade länkar