Infineon 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 145-9487
- Tillv. art.nr:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
1 896,00 kr
(exkl. moms)
2 370,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 15 000 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,632 kr | 1 896,00 kr |
| 6000 - 12000 | 0,60 kr | 1 800,00 kr |
| 15000 + | 0,575 kr | 1 725,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 145-9487
- Tillv. art.nr:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 300mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | SC-88 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.96V | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Bredd | 1.25 mm | |
| Längd | 2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp SC-88 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.96V | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Höjd 0.8mm | ||
Bredd 1.25 mm | ||
Längd 2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon OptiMOS™ MOSFET med dubbel effekt
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.