Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 190 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 145-9431
- Tillv. art.nr:
- IRF1404ZPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 50 enheter)*
482,50 kr
(exkl. moms)
603,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 950 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 9,65 kr | 482,50 kr |
| 100 - 200 | 9,168 kr | 458,40 kr |
| 250 - 450 | 8,781 kr | 439,05 kr |
| 500 - 1200 | 8,203 kr | 410,15 kr |
| 1250 + | 7,719 kr | 385,95 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 145-9431
- Tillv. art.nr:
- IRF1404ZPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 190A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 100nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 220W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.69 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Längd | 10.54mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 190A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 100nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 220W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.69 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 8.77mm | ||
Längd 10.54mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 180A Maximum Continuous Drain Current, 40V Maximum Drain Source Voltage - IRF1404ZPBF
This MOSFET is a high-performance power component designed for a variety of applications in the automotive and industrial sectors. With a robust continuous drain current of 180A and a maximum drain-source voltage of 40V, it excels in demanding environments. The TO-220AB package type facilitates easy mounting, ensuring efficient integration into electronic circuits and systems.
Features & Benefits
• Utilises HEXFET technology for enhanced efficiency
• Designed for enhancement mode to optimise switching
• Provides fast switching speed to boost overall efficiency
• Capable of repetitive avalanche to enhance reliability
Applications
• Ideal for use in motor control circuits
• Utilised in power supplies and converters
• Designed for use in automotive
• Suited for various industrial automation systems
• Effective in power management and switching
How does the low on-resistance benefit my applications?
The low on-resistance of 2.7mΩ reduces conduction losses, improving overall efficiency in power conversion and energy management systems.
What happens if the device exceeds its maximum operating temperature?
Exceeding the maximum operating temperature of +175°C can lead to performance degradation and potential failure, emphasising the need for adequate thermal management.
Can this be used in parallel configurations?
Yes, when used in parallel configurations, it is crucial to balance current sharing between devices to avoid overheating and maximise performance.