Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 157 A 80 V Förbättring, 8 Ben, VSON, NexFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

55,55 kr

(exkl. moms)

69,438 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 15 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 827,775 kr55,55 kr
10 - 1826,43 kr52,86 kr
20 - 4823,63 kr47,26 kr
50 - 9821,45 kr42,90 kr
100 +20,495 kr40,99 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
133-0154
Tillv. art.nr:
CSD19502Q5BT
Tillverkare / varumärke:
Texas Instruments
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Texas Instruments

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

157A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Serie

NexFET

Kapseltyp

VSON

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

4.8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

130nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

195W

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

5.1 mm

Höjd

1.05mm

Längd

6.1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments


MOSFET Transistors, Texas Instruments