IXYS Trench Type N-Channel MOSFET, 110 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXTH110N25T

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

114,32 kr

(exkl. moms)

142,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 41 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 4114,32 kr
5 - 9105,17 kr
10 - 2498,90 kr
25 - 4985,34 kr
50 +81,65 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
125-8047
Distrelec artikelnummer:
302-53-421
Tillv. art.nr:
IXTH110N25T
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

Trench

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

157nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

694W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

21.46mm

Width

5.3 mm

Length

16.26mm

Standards/Approvals

No

Distrelec Product Id

30253421

Automotive Standard

No

N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS


Trench Gate MOSFET Technology

Low on-state Resistance RDS(on)

Superior avalanche ruggedness

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar