Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V, 3+Tab-Pin TO-3P TK31J60W,S1VE(S

Se alla MOSFETs
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
125-0564
Tillv. art.nr:
TK31J60W,S1VE(S
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30.8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-3P

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3+Tab

Maximum Drain Source Resistance

88 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.7V

Maximum Power Dissipation

230 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

86 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Length

15.5mm

Width

4.5mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Height

20mm

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba



MOSFET Transistors, Toshiba