ROHM RE1C002UN Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-416 RE1C002UNTCL
- RS-artikelnummer:
- 124-6784
- Tillv. art.nr:
- RE1C002UNTCL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 150 enheter)*
98,70 kr
(exkl. moms)
123,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 750 enhet(er) från den 29 december 2025
- Dessutom levereras 1 800 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 150 - 600 | 0,658 kr | 98,70 kr |
| 750 - 1350 | 0,624 kr | 93,60 kr |
| 1500 - 3600 | 0,587 kr | 88,05 kr |
| 3750 - 7350 | 0,573 kr | 85,95 kr |
| 7500 + | 0,559 kr | 83,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-6784
- Tillv. art.nr:
- RE1C002UNTCL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-416 | |
| Series | RE1C002UN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.8Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150mW | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 0.96 mm | |
| Length | 1.7mm | |
| Height | 0.8mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-416 | ||
Series RE1C002UN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.8Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150mW | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 0.96 mm | ||
Length 1.7mm | ||
Height 0.8mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
relaterade länkar
- ROHM RE1C002ZP Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-416 RE1L002SNTL
- ROHM RE1C001ZP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-416 RE1C001ZPTL
- ROHM DTB523YE3TL PNP Digital Transistor, -500 mA SOT-416
- ROHM DTB543EE3TL PNP Digital Transistor, -500 mA SOT-416
- ROHM DTD543XE3TL NPN Digital Transistor, 500 mA SOT-416
- ROHM DTD543ZE3TL NPN Digital Transistor, 500 mA SOT-416
- ROHM DTD523YE3TL NPN Digital Transistor, 500 mA SOT-416
- ROHM DTB513ZE3TL PNP Digital Transistor, -500 mA SOT-416
