Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C3
- RS-artikelnummer:
- 110-7776
- Tillv. art.nr:
- SPP06N80C3XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
151,87 kr
(exkl. moms)
189,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Håller på att utgå
- Slutlig(a) 100 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 15,187 kr | 151,87 kr |
| 50 - 90 | 14,403 kr | 144,03 kr |
| 100 - 240 | 12,97 kr | 129,70 kr |
| 250 + | 12,925 kr | 129,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 110-7776
- Tillv. art.nr:
- SPP06N80C3XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.9Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.57 mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, JEDEC1 | |
| Höjd | 15.95mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.9Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.57 mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS, JEDEC1 | ||
Höjd 15.95mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOSTMC3 Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.