STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET H7
- RS-artikelnummer:
- 103-2008
- Tillv. art.nr:
- STP310N10F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 50 enheter)*
1 844,55 kr
(exkl. moms)
2 305,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 50 enhet(er) levereras från den 17 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 36,891 kr | 1 844,55 kr |
| 100 - 450 | 35,932 kr | 1 796,60 kr |
| 500 + | 35,047 kr | 1 752,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 103-2008
- Tillv. art.nr:
- STP310N10F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 180nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 315W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 15.75mm | |
| Bredd | 4.6 mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie STripFET H7 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 180nC | ||
Maximal effektförlust Pd 315W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 15.75mm | ||
Bredd 4.6 mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals STripFET™ H7-serien, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.