DiodesZetex Type N-Channel MOSFET, 270 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin E-Line VN10LP
- RS-artikelnummer:
- 841-277
- Tillv. art.nr:
- VN10LP
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
45,41 kr
(exkl. moms)
56,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 080 enhet(er) från den 29 december 2025
- Dessutom levereras 21 290 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 9,082 kr | 45,41 kr |
| 50 - 195 | 5,358 kr | 26,79 kr |
| 200 - 995 | 4,694 kr | 23,47 kr |
| 1000 - 1995 | 3,978 kr | 19,89 kr |
| 2000 + | 3,35 kr | 16,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 841-277
- Tillv. art.nr:
- VN10LP
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 270mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | E-Line | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 625mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 2.41 mm | |
| Height | 4.01mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 4.77mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 270mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type E-Line | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 625mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 2.41 mm | ||
Height 4.01mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 4.77mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||


N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
relaterade länkar
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin E-Line
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin E-Line ZVN3306A
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin E-Line
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin E-Line
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin E-Line
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin E-Line
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin E-Line ZVP3306A
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin E-Line ZVN4206ASTZ
