ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3N045AT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-488
- Tillv. art.nr:
- RD3N045ATTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 2 enheter)*
9,43 kr
(exkl. moms)
11,788 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 4,715 kr | 9,43 kr |
| 50 - 198 | 4,19 kr | 8,38 kr |
| 200 - 998 | 3,80 kr | 7,60 kr |
| 1000 - 1998 | 3,015 kr | 6,03 kr |
| 2000 + | 2,95 kr | 5,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-488
- Tillv. art.nr:
- RD3N045ATTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3N045AT | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 650mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.9nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 17W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.8 mm | |
| Längd | 10.50mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Serie RD3N045AT | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 650mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.9nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 17W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.8 mm | ||
Längd 10.50mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The ROHM P channel MOSFET designed for a variety of power applications. With a drain-source voltage rating of -80V and a continuous drain current capability of -4.5A, this MOSFET provides excellent electrical performance for demanding environments. Its low on-resistance of 650mΩ maximises efficiency while minimising heat generation, contributing to superior overall reliability. RoHS compliant and featuring a robust TO-252 package, the RD3N045AT is ideal for motor drives and other switching applications, ensuring robust operation in high-power scenarios. The device is rigorously tested for gate reliability and features are also halogen-free, supporting environmentally friendly practices.
Low on resistance of 650mΩ enhances efficiency and reduces power losses
Provides high power handling capabilities with a maximum power dissipation of 17W
Rated for a maximum junction temperature of 150°C, ensuring reliability under strenuous conditions
Pulsed drain current capacity of ±9A supports transient load applications
Gate-source voltage tolerance of ±20V allows for flexible circuit designs
Ideal for motor drive applications, enhancing performance in electric motors
RoHS compliant construction promotes environmental sustainability
Tested for 100% Rg and UIS reliability, ensuring robust long-term performance