ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG502EED3HRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-467
- Tillv. art.nr:
- AG502EED3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 2 enheter)*
47,04 kr
(exkl. moms)
58,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 23,52 kr | 47,04 kr |
| 20 - 48 | 20,775 kr | 41,55 kr |
| 50 - 198 | 18,535 kr | 37,07 kr |
| 200 - 998 | 15,065 kr | 30,13 kr |
| 1000 + | 14,56 kr | 29,12 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-467
- Tillv. art.nr:
- AG502EED3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -30V | |
| Serie | AG502EED3HRB | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 77W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 5 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.50mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Bredd | 6.80 mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -30V | ||
Serie AG502EED3HRB | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximal effektförlust Pd 77W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 5 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.50mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Höjd 2.3mm | ||
Bredd 6.80 mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The ROHM Power MOSFET designed for efficient and reliable energy management in automotive systems. Featuring a maximum drain-source voltage of -30V and continuous drain current capability of up to 78A, this device is ideal for demanding applications requiring robust power handling. Its low on-resistance of 8.5mΩ minimises power loss, contributing to enhanced thermal efficiency. Additionally, the MOSFET is qualified under AEC-Q101 standards, ensuring it meets rigorous automotive requirements for durability and performance. With excellent avalanche characteristics and a wide operational temperature range, the AG502EED3HRB ensures consistent performance under diverse conditions.
Robust construction with AEC Q101 qualification for automotive applications
Low on resistance of 8.5mΩ, optimising energy efficiency
Max continuous drain current of 78A enables handling of demanding loads
Wide operating temperature range from -55°C to 175°C for reliable performance
Thermal resistance of 1.94°C/W enhances heat dissipation capabilities
100% Avalanche tested, ensuring high reliability under transient conditions
Pb free plating and compliance with RoHS standards for environmentally-friendly design