ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08DBKHRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-465
- Tillv. art.nr:
- RD3L08DBKHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 2 enheter)*
21,35 kr
(exkl. moms)
26,688 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 10,675 kr | 21,35 kr |
| 20 - 48 | 9,43 kr | 18,86 kr |
| 50 - 198 | 8,45 kr | 16,90 kr |
| 200 - 998 | 6,81 kr | 13,62 kr |
| 1000 + | 6,68 kr | 13,36 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-465
- Tillv. art.nr:
- RD3L08DBKHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3L08DBKHRB | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 76W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.8 mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Längd | 10.50mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Serie RD3L08DBKHRB | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 76W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.8 mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Längd 10.50mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- JP
The ROHM Power MOSFET is engineered for high-performance in demanding applications, offering reliable switching capabilities with low on-resistance and a robust breakdown voltage. Designed to handle up to 80A of continuous drain current and with a maximum drain-source voltage of 60V, this component ensures efficiency and durability. It is ideal for automotive electronics, lighting, and other power management systems, featuring Pb-free plating and is AEC-Q101 qualified, making it compliant with the latest industry standards. This MOSFET provides a combination of exceptional thermal performance and reliability, making it a suitable choice for engineers seeking to optimise their circuit designs.
Low on resistance of 7.5mΩ maximises power efficiency
AEC Q101 qualification ensures high reliability in automotive applications
Passes 100% avalanche testing for enhanced durability
Capable of handling continuous drain current up to 80A
Maximum drain-source voltage rating of 60V provides substantial overhead
Pb free plating adheres to RoHS compliance, promoting environmental responsibility
Versatile packaging ensures compatibility across various application designs
Ideal for use in ADAS, info systems, and body control applications
Features low gate charge characteristics for faster switching times