ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG191FLD3HRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-454
- Tillv. art.nr:
- AG191FLD3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 2 enheter)*
22,40 kr
(exkl. moms)
28,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 11,20 kr | 22,40 kr |
| 20 - 48 | 9,89 kr | 19,78 kr |
| 50 - 198 | 8,845 kr | 17,69 kr |
| 200 - 998 | 7,14 kr | 14,28 kr |
| 1000 + | 7,01 kr | 14,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-454
- Tillv. art.nr:
- AG191FLD3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | AG191FLD3HRB | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 76W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Längd | 10.50mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Bredd | 6.80 mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie AG191FLD3HRB | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 76W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Längd 10.50mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Bredd 6.80 mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The ROHM Power MOSFET is engineered for high-performance applications, providing exceptional efficiency with a maximum Drain-Source voltage of 60V and a continuous drain current of 80A. Designed for demanding automotive systems, this device features low on-resistance, ensuring reduced power loss and enhanced thermal management. Its robust construction includes AEC-Q101 qualification, making it suitable for use in rigorous automotive environments. With a multidimensional thermal resistance capability, this MOSFET effectively handles thermal stress, ensuring reliability under varying operational conditions. Ideal for engineers seeking a reliable component in high-efficiency applications, the AG191FLD3HRB stands out for its performance and operational integrity.
Low on resistance offers improved efficiency and reduces heat generation
Pb free plating conforms to RoHS standards for environmental safety
100% avalanche testing guarantees reliable performance under stress
AEC Q101 qualified, ensuring compliance with automotive industry standards
Supports a wide operating junction and storage temperature range from -55°C to 175°C
Flexible packaging specifications with tape and reel format for convenience in assembly
Integrated thermal resistance minimizes thermal concerns during operation
Supplied with precise gate charge characteristics for optimal switching performance