ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 8 Ben, DFN3333T8LSAB, RH7G04BBJFRAT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-447
- Tillv. art.nr:
- RH7G04BBJFRATCB
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 2 enheter)*
20,31 kr
(exkl. moms)
25,388 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 10,155 kr | 20,31 kr |
| 20 - 48 | 8,975 kr | 17,95 kr |
| 50 - 198 | 8,055 kr | 16,11 kr |
| 200 - 998 | 6,485 kr | 12,97 kr |
| 1000 + | 6,355 kr | 12,71 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-447
- Tillv. art.nr:
- RH7G04BBJFRATCB
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -40V | |
| Serie | RH7G04BBJFRAT | |
| Kapseltyp | DFN3333T8LSAB | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 75W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 50nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 5 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 3.4mm | |
| Bredd | 3.4 mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -40V | ||
Serie RH7G04BBJFRAT | ||
Kapseltyp DFN3333T8LSAB | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 75W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 50nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 5 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 3.4mm | ||
Bredd 3.4 mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- JP
The ROHM Power MOSFET is engineered for robust performance in demanding applications, offering exceptional efficiency and reliability. With a maximum Drain-Source voltage of -40V and continuous drain current capabilities reaching up to 40A, this component excels in power management. Its low on-state resistance of just 11.9mΩ enhances energy efficiency, making it an ideal choice for automotive and industrial systems. Designed to withstand temperatures from -55 to 175°C, this MOSFET ensures durability and stability under a wide range of conditions, while its AEC-Q101 qualification signals its suitability for automotive environments, contributing to enhanced device safety and efficacy.
AEC Q101 qualified for reliable automotive applications
100% avalanche tested for enhanced safety under extreme conditions
Low thermal resistance junction-case, promoting efficient heat dissipation
Wide operating temperature range ensures performance stability in harsh environments
Minimal on-state resistance optimises energy efficiency, reducing overall power loss
Capacitive characteristics tailored for fast switching applications, enhancing performance
Wettable flanks design facilitates reliable soldering and improved assembly quality
Suitability for various applications, including ADAS, lighting, and body control systems