ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08CBLHRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-440
- Tillv. art.nr:
- RD3L08CBLHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 2 enheter)*
26,86 kr
(exkl. moms)
33,58 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 03 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 13,43 kr | 26,86 kr |
| 20 - 48 | 11,855 kr | 23,71 kr |
| 50 - 198 | 10,61 kr | 21,22 kr |
| 200 - 998 | 8,58 kr | 17,16 kr |
| 1000 + | 8,385 kr | 16,77 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-440
- Tillv. art.nr:
- RD3L08CBLHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3L08CBLHRB | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 96W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Bredd | 6.8 mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Längd | 10.50mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Serie RD3L08CBLHRB | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximal effektförlust Pd 96W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Bredd 6.8 mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Längd 10.50mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The ROHM N channel power MOSFET designed for demanding applications, offering excellent efficiency and reliability. With a maximum drain-source voltage of 60V and a continuous drain current of 80A, this device is ideal for switching and amplification tasks in automotive and consumer electronics. Its low on-resistance of just 5.3mΩ maximises power efficiency, while its robust construction ensures it withstands harsh operational environments, meeting AEC-Q101 qualifications and providing 100% avalanche testing for enhanced safety. This MOSFET represents a powerful solution for advanced circuitry, blending performance with stringent compliance standards.
Low on resistance of 5.3mΩ significantly improves energy efficiency
Supports up to 80A continuous drain current for robust performance in demanding applications
100% avalanche tested to ensure stability and reliability during operation
AEC Q101 qualified, making it suitable for automotive applications
Wide operating junction temperature range from -55°C to +175°C ensures reliable performance in various conditions
Integrated thermal resistance of junction-case optimises power handling capabilities
Pb free and RoHS compliant, aligning with modern environmental standards.