ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB-3LSHYAD, RJ1N04BBHT
- RS-artikelnummer:
- 687-400
- Tillv. art.nr:
- RJ1N04BBHTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 2 enheter)*
86,02 kr
(exkl. moms)
107,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 43,01 kr | 86,02 kr |
| 20 - 98 | 37,91 kr | 75,82 kr |
| 100 - 198 | 33,99 kr | 67,98 kr |
| 200 + | 26,77 kr | 53,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-400
- Tillv. art.nr:
- RJ1N04BBHTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | TO-263AB-3LSHYAD | |
| Serie | RJ1N04BBHT | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 89W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 10.36 mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 15.5mm | |
| Höjd | 4.77mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp TO-263AB-3LSHYAD | ||
Serie RJ1N04BBHT | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 89W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 10.36 mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 15.5mm | ||
Höjd 4.77mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The ROHM N channel power MOSFET designed to deliver outstanding efficiency in demanding applications. With a maximal drain-source voltage of 80V and a continuous drain current of 100A, it is tailored for effective switching tasks in a variety of circuits, making it ideal for motor drives and DC/DC converters. Its low on-resistance of 5.3mΩ ensures that energy loss is minimised, resulting in better thermal management and reliable operation under high-power conditions. Compliant with RoHS standards, this device not only meets environmental requirements but also assures high reliability and safety for end-users in diverse electronics.
Low on resistance for effective power management and reduced thermal load
Capable of handling continuous drain currents of ±100A, ideal for high-performance designs
Comprehensive testing for robustness, including 100% Rg and UIS testing
Pb free plating ensures compliance with international environmental standards
Halogen-free construction contributes to environmental sustainability
Robust packaging specifications, including embossed tape for dependable transport and storage
Operating temperature range from -55 to +150°C provides operational flexibility across diverse environments