ROHM Typ P, Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8MC5

Antal (1 längd med 2 enheter)*

13,55 kr

(exkl. moms)

16,938 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 200 enhet(er) från den 17 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
2 +6,775 kr13,55 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
687-389
Tillv. art.nr:
HT8MC5TB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

Enkla MOSFETs

Kanaltyp

Typ P, Typ N

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

HSMT-8

Serie

HT8MC5

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

97mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3.1nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±20 V

Maximal effektförlust Pd

13W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.8mm

Bredd

3.4 mm

Längd

3.45mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The ROHM N channel and P channel power MOSFET designed for efficient motor drive applications. Built within an advanced HSMT8 package, this device boasts low on-state resistance, enabling enhanced power management while minimising heat generation. Its robust capabilities make it suitable for various applications demanding reliability and efficiency, particularly in environments where space is at a premium. With a Pb-free and RoHS-compliant design, it aligns with modern standards for environmental safety while delivering impressive specifications, ensuring versatile deployment across numerous electronic sectors.

Low on resistance enhances power efficiency and reduces energy loss

High Power small mold package (HSMT8) is ideal for space-constrained applications

Pb free plating and RoHS compliance ensure environmental friendliness

Halogen-free construction provides additional safety and compliance

Fully Rg and UIS tested for improved reliability under dynamic conditions

Embossed packaging optimises handling and insertion during manufacturing

Maximum junction temperature of 150°C allows reliable performance in high-heat environments.