ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3N03BAT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-384
- Tillv. art.nr:
- RD3N03BATTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 2 enheter)*
16,38 kr
(exkl. moms)
20,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 480 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 8,19 kr | 16,38 kr |
| 20 - 48 | 7,205 kr | 14,41 kr |
| 50 - 198 | 6,485 kr | 12,97 kr |
| 200 - 998 | 5,24 kr | 10,48 kr |
| 1000 + | 5,11 kr | 10,22 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-384
- Tillv. art.nr:
- RD3N03BATTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3N03BAT | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 56mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 50nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 54W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Bredd | 6.8 mm | |
| Längd | 10.50mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Serie RD3N03BAT | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 56mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 50nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 54W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.3mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Bredd 6.8 mm | ||
Längd 10.50mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- JP
The ROHM P channel power MOSFET designed to deliver efficient operation in a variety of applications, including motor drives and switching circuits. With a maximum drain-source voltage of -80V and continuous drain current capabilities reaching -30A, this device is engineered for robust performance under demanding conditions. Its low on-resistance of 56mΩ ensures optimal efficiency, minimising energy losses during operation. Additionally, the TO-252 package allows for easy integration into electronic designs, providing versatility and reliability in compact form factors. The RD3N03BAT is also compliant with RoHS and halogen-free standards, making it a suitable choice for environmentally conscious designs.
Low on resistance for improved efficiency and reduced thermal management
High power capability within a compact TO-252 package for versatile application
RoHS and halogen-free compliance ensures environmental safety for modern electronics
Extensive testing, including Rg and UIS, guarantees reliable operation and performance
Wide operating temperature range of -55 to +150 °C supports various environmental conditions
Designed with reliable avalanche energy ratings for enhanced safety during transient conditions