ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 40 A 1200 V Förbättring, 8 Ben, TO-263-7LA, SCT4036KWA
- RS-artikelnummer:
- 687-344
- Tillv. art.nr:
- SCT4036KWATL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 2 enheter)*
260,69 kr
(exkl. moms)
325,862 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 27 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 130,345 kr | 260,69 kr |
| 10 + | 126,48 kr | 252,96 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-344
- Tillv. art.nr:
- SCT4036KWATL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | TO-263-7LA | |
| Serie | SCT4036KWA | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 36mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 21 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 91nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.4mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 10.2 mm | |
| Höjd | 4.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp TO-263-7LA | ||
Serie SCT4036KWA | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 36mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 21 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 91nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.4mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 10.2 mm | ||
Höjd 4.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TH
The ROHM N channel SiC power MOSFET, engineered for high-performance applications requiring efficient switching capabilities. With a maximum drain-source voltage of 1200V and a typical on-resistance of 36mΩ, this device excels in demanding environments like solar inverters and DC/DC converters. Its robust design features a high continuous drain current rating of 40A at 25°C, supporting versatility in various applications. The device is optimised for fast switching, providing enhanced efficiency. Additionally, its Pb-free lead plating complies with RoHS standards, ensuring an eco-friendly approach without compromising on performance.
Delivers low on resistance for minimal power loss during operation
Supports a wide range of continuous and pulsed drain currents for enhanced flexibility in design
Optimised for fast switching speeds, contributing to improved overall efficiency
Features robust thermal resistance capabilities, allowing for reliable operation at elevated temperatures
Incorporates a simple gate drive design, facilitating easier integration into existing systems
Compliant with environmental regulations through Pb free lead plating, aligning with contemporary sustainability practices
Offers a wide creepage distance of 4.7mm, enhancing reliability in high-voltage applications