ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 2 enheter)*

42,90 kr

(exkl. moms)

53,62 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
2 - 1821,45 kr42,90 kr
20 - 9818,87 kr37,74 kr
100 - 19816,91 kr33,82 kr
200 +13,44 kr26,88 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
646-551
Tillv. art.nr:
RJ1R04BBHTL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Enkla MOSFETs

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

RJ1

Kapseltyp

TO-263AB

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

27mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

37nC

Maximal effektförlust Pd

89W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

15.5mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

10.36 mm

Höjd

4.77mm

Fordonsstandard

Nej

The ROHM N channel 150 volt 40 ampere power metal oxide semiconductor field effect transistor features low on resistance, a high power package type TO two six three AB, lead free plating, and is restriction of hazardous substances compliant.

Halogen free

100% Rg and UIS tested