ROHM RJ1 Type N-Channel Single MOSFETs, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1R04BBHTL1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 2 enheter)*

42,90 kr

(exkl. moms)

53,62 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Längd*
2 - 1821,45 kr42,90 kr
20 - 9818,87 kr37,74 kr
100 - 19816,91 kr33,82 kr
200 +13,44 kr26,88 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
646-551
Tillv. art.nr:
RJ1R04BBHTL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

ROHM

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

TO-263AB

Series

RJ1

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

37nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.77mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

15.5mm

Width

10.36 mm

Automotive Standard

No

The ROHM N channel 150 volt 40 ampere power metal oxide semiconductor field effect transistor features low on resistance, a high power package type TO two six three AB, lead free plating, and is restriction of hazardous substances compliant.

Halogen free

100% Rg and UIS tested

relaterade länkar