ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3 AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 10 enheter)*

85,57 kr

(exkl. moms)

106,96 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 90 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
10 - 908,557 kr85,57 kr
100 - 4907,526 kr75,26 kr
500 - 9906,765 kr67,65 kr
1000 +5,354 kr53,54 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
646-544
Tillv. art.nr:
RD3P04BBKHRBTL
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Enkla MOSFETs

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

RD3

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

30mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.1nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±20 V

Maximal effektförlust Pd

53W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.3mm

Standarder/godkännanden

RoHS, AEC-Q101

Bredd

6.8 mm

Längd

10.50mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The ROHM P channel 100 volt 36 ampere power metal oxide semiconductor field effect transistor features lead free plating and is restriction of hazardous substances compliant. It is one hundred percent avalanche tested.

Low on-resistance

AEC-Q101 qualified