ROHM RD3 Type N-Channel Single MOSFETs, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3P04BBKHRBTL

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 10 enheter)*

85,57 kr

(exkl. moms)

106,96 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 90 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Längd*
10 - 908,557 kr85,57 kr
100 - 4907,526 kr75,26 kr
500 - 9906,765 kr67,65 kr
1000 +5,354 kr53,54 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
646-544
Tillv. art.nr:
RD3P04BBKHRBTL
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

RD3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

30mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

53W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.50mm

Width

6.8 mm

Standards/Approvals

RoHS, AEC-Q101

Height

2.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The ROHM P channel 100 volt 36 ampere power metal oxide semiconductor field effect transistor features lead free plating and is restriction of hazardous substances compliant. It is one hundred percent avalanche tested.

Low on-resistance

AEC-Q101 qualified

relaterade länkar