Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 9 V Utarmningsläge, 5 Ben, SOT-23-5, LND150
- RS-artikelnummer:
- 599-150
- Tillv. art.nr:
- LND150N3-G-P003
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 rulle med 2000 enheter)*
13 876,00 kr
(exkl. moms)
17 344,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 6,938 kr | 13 876,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 599-150
- Tillv. art.nr:
- LND150N3-G-P003
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | N-kanalig DMOS FET | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 9V | |
| Kapseltyp | SOT-23-5 | |
| Serie | LND150 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4Ω | |
| Kanalläge | Utarmningsläge | |
| Minsta arbetsstemperatur | -25°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 360mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Längd | 3.05mm | |
| Standarder/godkännanden | ISO/TS‑16949, RoHS | |
| Höjd | 1.3mm | |
| Bredd | 1.75 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp N-kanalig DMOS FET | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 9V | ||
Kapseltyp SOT-23-5 | ||
Serie LND150 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4Ω | ||
Kanalläge Utarmningsläge | ||
Minsta arbetsstemperatur -25°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 360mW | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Längd 3.05mm | ||
Standarder/godkännanden ISO/TS‑16949, RoHS | ||
Höjd 1.3mm | ||
Bredd 1.75 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
The Microchip High voltage N-channel depletion mode (normally-on) transistor utilizing lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Excellent thermal stability
Integral source drain diode
High input impedance and low CISS
ESD gate protection