Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 9 V Utarmningsläge, 5 Ben, SOT-23-5, LND01
- RS-artikelnummer:
- 598-897
- Tillv. art.nr:
- LND01K1-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
17 922,00 kr
(exkl. moms)
22 404,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 20 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 5,974 kr | 17 922,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 598-897
- Tillv. art.nr:
- LND01K1-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | N-kanalig DMOS FET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 9V | |
| Kapseltyp | SOT-23-5 | |
| Serie | LND01 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4Ω | |
| Kanalläge | Utarmningsläge | |
| Minsta arbetsstemperatur | -25°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 360mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | ISO/TS‑16949, RoHS | |
| Höjd | 1.3mm | |
| Bredd | 1.75 mm | |
| Längd | 3.05mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp N-kanalig DMOS FET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 9V | ||
Kapseltyp SOT-23-5 | ||
Serie LND01 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4Ω | ||
Kanalläge Utarmningsläge | ||
Minsta arbetsstemperatur -25°C | ||
Maximal effektförlust Pd 360mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden ISO/TS‑16949, RoHS | ||
Höjd 1.3mm | ||
Bredd 1.75 mm | ||
Längd 3.05mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Microchip Depletion-Mode MOSFET is a low threshold, depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced lateral DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.
Low on resistance
Low input capacitance
Fast switching speeds
High input impedance and high gain
Low power drive requirement
Ease of paralleling