STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 545 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL, STripFET F7
- RS-artikelnummer:
- 558-986
- Tillv. art.nr:
- STO450N6F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
62,61 kr
(exkl. moms)
78,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 270 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 62,61 kr |
| 10 - 49 | 50,62 kr |
| 50 - 99 | 38,86 kr |
| 100 + | 34,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 558-986
- Tillv. art.nr:
- STO450N6F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 545A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | STripFET F7 | |
| Kapseltyp | TO-LL | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 10.1 mm | |
| Längd | 10.58mm | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Standarder/godkännanden | ECOPACK | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 545A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie STripFET F7 | ||
Kapseltyp TO-LL | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 10.1 mm | ||
Längd 10.58mm | ||
Höjd 2.4mm | ||
Standarder/godkännanden ECOPACK | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhance trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Among the lowest RDSon on the market
Excellent FoM
High avalanche ruggedness