STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- RS-artikelnummer:
- 366-223
- Tillv. art.nr:
- STL170N4LF8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
15,46 kr
(exkl. moms)
19,32 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 975 enhet(er) från den 03 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 15,46 kr |
| 10 - 99 | 14,00 kr |
| 100 - 499 | 12,88 kr |
| 500 - 999 | 11,98 kr |
| 1000 + | 10,64 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 366-223
- Tillv. art.nr:
- STL170N4LF8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Arbetsfrekvens | 1 MHz | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 167A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Uteffekt | 111W | |
| Serie | STL | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Höjd | 1mm | |
| Bredd | 5.9 mm | |
| Längd | 5.1mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC (JESD51-5,-7) | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Arbetsfrekvens 1 MHz | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 167A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Uteffekt 111W | ||
Serie STL | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Höjd 1mm | ||
Bredd 5.9 mm | ||
Längd 5.1mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC (JESD51-5,-7) | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics 40 V N channel enhancement mode Power MOSFET designed in STripFET F8 technology featuring an enhanced trench gate structure. It ensures a state of the art of figure of merit for very low on state resistance while reducing internal capacitances and gate charge for faster and more efficient switching.
MSL1 grade
175 °C maximum operating junction temperature
100 percent avalanche tested
Low gate charge Qg