Infineon F3L6MR Type N-Channel MOSFET, 375 A, 2000 V Enhancement AG-EASY2B F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

Se alla MOSFETs

Antal (1 enhet)*

8 059,74 kr

(exkl. moms)

10 074,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 15 enhet(er) från den 20 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +8 059,74 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
351-915
Tillv. art.nr:
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

375A

Maximum Drain Source Voltage Vds

2000V

Package Type

AG-EASY2B

Series

F3L6MR

Mount Type

Through Hole

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Forward Voltage Vf

6.15V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

62.8mm

Height

12.255mm

Standards/Approvals

IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749

Width

48 mm

Automotive Standard

No

The Infineon Easy pack 2B CoolSiC MOSFET 3-level module 2000 V, 6 mΩ with NTC temperature sensor, Press FIT Contact Technology and aluminum nitride ceramic.

Very low module stray inductance

Press FIT pins

Integrated NTC temperature sensor

Wide gate source voltage range

Low switching & conduction losses

relaterade länkar