Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 349-429
- Tillv. art.nr:
- IPD030N03LF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
82,43 kr
(exkl. moms)
103,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 8,243 kr | 82,43 kr |
| 100 - 240 | 7,818 kr | 78,18 kr |
| 250 - 490 | 7,246 kr | 72,46 kr |
| 500 - 990 | 6,664 kr | 66,64 kr |
| 1000 + | 6,429 kr | 64,29 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-429
- Tillv. art.nr:
- IPD030N03LF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 99A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PG-TO252-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.05mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 99A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PG-TO252-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.05mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V technology features a best in class RDS(on) of 3 mOhm in a DPAK package. This product addresses a broad range of applications from low to high switching frequency.
General purpose products
Excellent robustness
Broad availability at distributors
Standard packages and pin out
High manufacturing and supply standards