Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 349-345
- Tillv. art.nr:
- IMZA75R090M1HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
73,47 kr
(exkl. moms)
91,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 240 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 73,47 kr |
| 10 - 99 | 66,08 kr |
| 100 - 499 | 60,93 kr |
| 500 - 999 | 56,45 kr |
| 1000 + | 50,51 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-345
- Tillv. art.nr:
- IMZA75R090M1HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 23A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 750V | |
| Kapseltyp | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 117mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 23 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 113W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 23A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 750V | ||
Kapseltyp PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 117mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 23 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 113W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Infineon 750 V CoolSiC Power Device G1 is built on Infineon’s solid silicon carbide technology, developed over more than 20 years. By leveraging the unique characteristics of wide bandgap SiC materials, the 750 V CoolSiC MOSFET delivers a unique combination of performance, reliability, and ease of use. It is specifically designed for high temperature and harsh operating conditions, enabling the simplified and cost effective deployment of systems with the highest efficiency. This MOSFET is perfect for applications requiring robust performance and energy efficient solutions.
Enhanced robustness and reliability for bus voltages beyond 500 V
Superior efficiency in hard switching
Higher switching frequency in soft switching topologies
Robustness against parasitic turn on for unipolar gate driving
Reduced switching losses through improved gate control
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 23 A 750 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 44 A 750 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 75 A 750 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 60 A 750 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 16 A 750 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 32 A 750 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 89 A 750 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 60 A 750 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101