Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 173 A 750 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, CoolSiC

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer att finnas i lager igen, den har utgått från tillverkaren.
RS-artikelnummer:
349-329
Tillv. art.nr:
IMDQ75R008M1HXUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

173A

Maximal källspänning för dränering Vds

750V

Kapseltyp

PG-HDSOP-22

Serie

CoolSiC

Fästetyp

Yta

Antal ben

22

Maximal drain-källresistans Rds

10.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

625W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

23 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

178nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
The Infineon 750 V CoolSiC MOSFET G1 is built upon Infineon’s solid silicon carbide technology, developed over more than 20 years. By leveraging the characteristics of wide bandgap SiC materials, the 750 V CoolSiC MOSFET delivers a unique combination of performance, reliability, and ease of use. This MOSFET is designed to withstand high temperature and harsh operating conditions, making it ideal for demanding applications. It enables the simplified and cost effective deployment of systems with high efficiency, meeting the evolving needs of power electronics in challenging environments.

Infineon proprietary die attach technology

Cutting edge top side cooling package

Driver source pin available

Enhanced robustness to withstand bus voltages beyond 500 V

Superior efficiency in hard switching

Higher switching frequency in soft switching topologies

Robustness against parasitic turn on for unipolar gate driving

Best in class thermal dissipation

Reduced switching losses through improved gate control