Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 115 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 349-323
- Tillv. art.nr:
- IMBG65R015M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
215,84 kr
(exkl. moms)
269,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 215,84 kr |
| 10 - 99 | 194,32 kr |
| 100 + | 179,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-323
- Tillv. art.nr:
- IMBG65R015M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 115A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Kapseltyp | PG-TO263-7 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 18mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 23 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 416W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 115A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Kapseltyp PG-TO263-7 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 18mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 23 V | ||
Maximal effektförlust Pd 416W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon 650 V CoolSiC MOSFET G2 is built on Infineon’s robust 2nd generation Silicon Carbide trench technology, offering unparalleled performance, superior reliability, and exceptional ease of use. This MOSFET enables cost effective, highly efficient, and simplified designs, meeting the ever growing needs of modern power systems and markets. It is ideal for applications where high efficiency and robust performance are required, providing a reliable solution for a wide range of power electronics.
Ultra low switching losses
Robust against parasitic turn on even with 0 V turn off gate voltage
Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme
Robust body diode operation under hard commutation events
The .XT interconnection technology for best in class thermal performance