Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 238 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 349-322
- Tillv. art.nr:
- IMBG65R007M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
443,10 kr
(exkl. moms)
553,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 443,10 kr |
| 10 - 99 | 398,83 kr |
| 100 + | 367,81 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-322
- Tillv. art.nr:
- IMBG65R007M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 238A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | PG-TO263-7 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 789W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 23 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 179nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 238A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp PG-TO263-7 | ||
Serie CoolSiC | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 789W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 23 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 179nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon 650 V CoolSiC MOSFET G2 is built on Infineon’s robust 2nd generation Silicon Carbide trench technology, offering unparalleled performance, superior reliability, and exceptional ease of use. This MOSFET enables cost effective, highly efficient, and simplified designs, meeting the ever growing needs of modern power systems and markets. It is ideal for applications where high efficiency and robust performance are required, providing a reliable solution for a wide range of power electronics.
Ultra low switching losses
Robust against parasitic turn on even with 0 V turn off gate voltage
Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme
Robust body diode operation under hard commutation events
The .XT interconnection technology for best in class thermal performance