Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 81 A 750 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

227,02 kr

(exkl. moms)

283,78 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 9227,02 kr
10 - 99204,29 kr
100 +188,38 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-206
Tillv. art.nr:
AIMBG75R020M1HXTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

81A

Maximal källspänning för dränering Vds

750V

Kapseltyp

PG-TO263-7

Serie

CoolSiC

Fästetyp

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

27mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

23 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

70nC

Maximal effektförlust Pd

326W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
MY
The Infineon 750 V CoolSiC MOSFET is built over the solid silicon carbide technology developed in Infineon in more than 20 years. Leveraging the wide bandgapSiC material characteristics, the 750V CoolSiC MOSFET offers a unique combination of performance, reliability and ease of use. Suitable for high temperature and harsh operations, it enables the simplified and cost effective deployment of the highest system efficiency.

Infineon proprietary die attach technology

Driver source pin available

Enhanced robustness and reliability for bus voltages beyond 500 V

Superior efficiency in hard switching

Higher switching frequency in soft switching topologies

Robustness against parasitic turn on for unipolar gate driving

Reduced switching losses through improved gate control

Relaterade länkar