Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U02, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 349-115
- Tillv. art.nr:
- IMZA120R030M1HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
195,78 kr
(exkl. moms)
244,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 240 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 195,78 kr |
| 10 - 99 | 176,29 kr |
| 100 + | 162,51 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-115
- Tillv. art.nr:
- IMZA120R030M1HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 70A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | PG-TO-247-4-U02 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 56mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 273W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 18 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 68nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 70A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp PG-TO-247-4-U02 | ||
Serie CoolSiC | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 56mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 273W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 18 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 68nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Infineon CoolSiC SiC MOSFET in TO-247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional silicon (Si) based switches like IGBTs and MOSFETs, the SiC MOSFET offers a series of advantages. These include, the lowest gate charge and device capacitance levels seen in 1200 V switches, no reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses, and threshold free on state characteristic.
Best in class switching and conduction losses
Wide gate source voltage range
Robust and low loss body diode rated for hard commutation
Temperature independent turn off switching losses
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 17 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon Typ N Kanal 69 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon Typ N Kanal 55 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon Typ N Kanal 38 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon Typ N Kanal 100 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon Typ N Kanal 202 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 22 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 31 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100