Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.1 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMB
- RS-artikelnummer:
- 349-107
- Tillv. art.nr:
- IMBG120R234M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
90,27 kr
(exkl. moms)
112,838 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 45,135 kr | 90,27 kr |
| 20 - 198 | 40,71 kr | 81,42 kr |
| 200 - 998 | 37,52 kr | 75,04 kr |
| 1000 - 1998 | 34,83 kr | 69,66 kr |
| 2000 + | 31,135 kr | 62,27 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-107
- Tillv. art.nr:
- IMBG120R234M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | IMB | |
| Kapseltyp | PG-TO263-7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 622mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 80W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.9nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Höjd | 4.5mm | |
| Längd | 15mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie IMB | ||
Kapseltyp PG-TO263-7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 622mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 80W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.9nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Höjd 4.5mm | ||
Längd 15mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 is a high performance silicon carbide MOSFET designed for superior efficiency with very low switching losses. With a short circuit withstand time of 2 μs, the device provides robust protection against fault conditions. The benchmark gate threshold voltage (VGS(th)) of 4.2 V ensures optimal switching performance, making it an excellent choice for demanding power applications that require high efficiency and reliability.
Robust body diode for hard commutation
The .XT interconnection technology for best in class thermal performance
Better energy efficiency
Cooling optimization
Higher power density
New robustness features
Highly reliable
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 189 A 1200 V Förbättring PG-TO263-7, IMB
- Infineon Typ N Kanal 29 A 1200 V Förbättring PG-TO263-7, IMB
- Infineon Typ N Kanal 62 A 1200 V Förbättring PG-TO263-7, IMB
- Infineon Typ N Kanal 144 A 1200 V Förbättring PG-TO263-7, IMB
- Infineon Typ N Kanal 107 A 1200 V Förbättring PG-TO263-7, IMB
- Infineon Typ N Kanal 53 A 1200 V Förbättring PG-TO263-7, IMB
- Infineon Typ N Kanal 52 A 1200 V Förbättring PG-TO263-7, IMB
- Infineon Typ N Kanal 21.2 A 1200 V Förbättring PG-TO263-7, IMB