Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 107 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMB
- RS-artikelnummer:
- 349-095
- Tillv. art.nr:
- IMBG120R017M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
288,52 kr
(exkl. moms)
360,65 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 09 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 288,52 kr |
| 10 - 99 | 259,73 kr |
| 100 + | 239,46 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-095
- Tillv. art.nr:
- IMBG120R017M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 107A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | PG-TO263-7 | |
| Serie | IMB | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 89nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 470W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±25 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Längd | 15mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Höjd | 4.5mm | |
| Bredd | 10.2 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 107A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp PG-TO263-7 | ||
Serie IMB | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 89nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 470W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±25 V | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Längd 15mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Höjd 4.5mm | ||
Bredd 10.2 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 is a high performance silicon carbide MOSFET designed for superior efficiency with very low switching losses. With a short circuit withstand time of 2 μs, the device provides robust protection against fault conditions. The benchmark gate threshold voltage (VGS(th)) of 4.2 V ensures optimal switching performance, making it an excellent choice for demanding power applications that require high efficiency and reliability.
Robust body diode for hard commutation
The .XT interconnection technology for best in class thermal performance
Better energy efficiency
Cooling optimization
Higher power density
New robustness features
Highly reliable