Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 189 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMB
- RS-artikelnummer:
- 349-092
- Tillv. art.nr:
- IMBG120R008M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
497,73 kr
(exkl. moms)
622,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 10 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 497,73 kr |
| 10 - 99 | 448,00 kr |
| 100 + | 413,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-092
- Tillv. art.nr:
- IMBG120R008M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 189A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | IMB | |
| Kapseltyp | PG-TO263-7 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 21mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 800W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±25 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 195nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Längd | 15mm | |
| Höjd | 4.5mm | |
| Bredd | 10.2 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 189A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie IMB | ||
Kapseltyp PG-TO263-7 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 21mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 800W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±25 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 195nC | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Längd 15mm | ||
Höjd 4.5mm | ||
Bredd 10.2 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 is a high performance silicon carbide MOSFET designed for superior efficiency with very low switching losses. With a short circuit withstand time of 2 μs, the device provides robust protection against fault conditions. The benchmark gate threshold voltage (VGS(th)) of 4.2 V ensures optimal switching performance, making it an excellent choice for demanding power applications that require high efficiency and reliability.
Robust body diode for hard commutation
The .XT interconnection technology for best in class thermal performance
Better energy efficiency
Cooling optimization
Higher power density
New robustness features
Highly reliable