Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 77 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PG-LHSOF-4, IMT
- RS-artikelnummer:
- 349-056
- Tillv. art.nr:
- IMTA65R020M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
209,15 kr
(exkl. moms)
261,44 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 209,15 kr |
| 10 - 99 | 188,27 kr |
| 100 + | 173,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-056
- Tillv. art.nr:
- IMTA65R020M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 77A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | IMT | |
| Kapseltyp | PG-LHSOF-4 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 24mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 4.5 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 57nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 416W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 77A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie IMT | ||
Kapseltyp PG-LHSOF-4 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 24mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 4.5 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 57nC | ||
Maximal effektförlust Pd 416W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 is built on Infineon’s robust 2nd generation Silicon Carbide trench technology, offering unparalleled performance, superior reliability, and exceptional ease of use. This MOSFET enables cost effective, highly efficient, and simplified designs, making it ideal for meeting the ever-growing demands of modern power systems and markets. Its advanced technology provides a powerful solution for achieving high system efficiency in a wide range of applications.
Ultra low switching losses
Robust against parasitic turn‑on even with 0 V turn off gate voltage
Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme
Robust body diode operation under hard commutation events
The .XT interconnection technology for best in class thermal performance