Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 96 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 349-053
- Tillv. art.nr:
- IMLT65R060M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
88,14 kr
(exkl. moms)
110,18 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 88,14 kr |
| 10 - 99 | 79,41 kr |
| 100 - 499 | 73,25 kr |
| 500 - 999 | 67,87 kr |
| 1000 + | 60,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-053
- Tillv. art.nr:
- IMLT65R060M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 96A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Kapseltyp | PG-HDSOP-16 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 16 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 200W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 23 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 96A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Kapseltyp PG-HDSOP-16 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 16 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 200W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 23 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 is built on Infineon’s robust 2nd generation Silicon Carbide trench technology, providing unparalleled performance, superior reliability, and excellent ease of use. Designed to meet the demands of modern power systems, this MOSFET enables cost effective, highly efficient, and simplified designs. It is the ideal solution for addressing the ever-growing needs of power systems and markets, offering both high performance and energy efficiency for a wide range of applications.
Ultra low switching losses
Robust against parasitic turn on even with 0 V turn off gate voltage
Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme
Robust body diode operation under hard commutation events
The .XT interconnection technology for best in class thermal performance