Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 750 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, CoolSiC

Se alla MOSFET-transistor
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
RS-artikelnummer:
349-041
Tillv. art.nr:
IMDQ75R027M1HXUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

64A

Maximal källspänning för dränering Vds

750V

Serie

CoolSiC

Kapseltyp

PG-HDSOP-22

Fästetyp

Yta

Antal ben

22

Maximal drain-källresistans Rds

36mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

273W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

49nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

23 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
The Infineon 750 V CoolSiC MOSFET G1 is built upon Infineon’s solid silicon carbide technology, developed over more than 20 years. By leveraging the characteristics of wide bandgap SiC materials, the 750 V CoolSiC MOSFET delivers a unique combination of performance, reliability, and ease of use. This MOSFET is designed to withstand high temperature and harsh operating conditions, making it ideal for demanding applications. It enables the simplified and cost effective deployment of systems with high efficiency, meeting the evolving needs of power electronics in challenging environments.

Infineon proprietary die attach technology

Cutting edge top side cooling package

Driver source pin available

Enhanced robustness to withstand bus voltages beyond 500 V

Superior efficiency in hard switching

Higher switching frequency in soft switching topologies

Robustness against parasitic turn on for unipolar gate driving

Best in class thermal dissipation

Reduced switching losses through improved gate control

Relaterade länkar