Infineon Trench-IGBT 3 Typ P Kanal, MOSFET Avskrivningar, EasyPIM, FB50R07W2E3_B23

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

1 034,20 kr

(exkl. moms)

1 292,75 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 15 enhet(er) från den 04 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 91 034,20 kr
10 +930,83 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
348-972
Tillv. art.nr:
FB50R07W2E3B23BOMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Serie

FB50R07W2E3_B23

Kapseltyp

EasyPIM

Fästetyp

Skruv

Kanalläge

Avskrivningar

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Framåtriktad spänning Vf

1.95V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±20 V

Maximal effektförlust Pd

20mW

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Trench-IGBT 3

Standarder/godkännanden

IEC 60747, 60749, 60068

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
DE
The Infineon EasyPIM 2B 650 V, 50 A Interleaved PFC Stage integrates a rectifier, two-channel PFC, and inverter stage all within one compact module, offering a space-saving solution for power applications. Designed with very low stray inductance, it ensures minimal power loss and improved switching efficiency. The High speed H5 technology enhances the PFC stage, delivering higher efficiency and faster response times. This module supports higher switching frequencies up to 50 kHz for the PFC stage, enabling better performance in demanding applications. The Trenchstop IGBT 3 and emitter-controlled 3 diodes further enhance reliability and operational efficiency.

Compact design with Easy 2B package

Best cost performance ratio leading to reduced system costs

Enables high frequency operation and reduced cooling requirements