Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 348-938
- Tillv. art.nr:
- AIMZA75R016M1HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
318,08 kr
(exkl. moms)
397,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 240 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 318,08 kr |
| 10 - 99 | 286,27 kr |
| 100 + | 264,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-938
- Tillv. art.nr:
- AIMZA75R016M1HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 89A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 750V | |
| Kapseltyp | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 22mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 81nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 319W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 89A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 750V | ||
Kapseltyp PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 22mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 81nC | ||
Maximal effektförlust Pd 319W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon 750 V CoolSiC MOSFET is built over the solid silicon carbide technology developed in Infineon in more than 20 years. Leveraging the wide bandgapSiC material characteristics, the 750V CoolSiC MOSFET offers a unique combination of performance, reliability and ease of use. Suitable for high temperature and harsh operations, it enables the simplified and cost effective deployment of the highest system efficiency.
Infineon proprietary die attach technology
Driver source pin available
Enhanced robustness and reliability for bus voltages beyond 500 V
Superior efficiency in hard switching
Higher switching frequency in soft switching topologies
Robustness against parasitic turn on for unipolar gate driving
Reduced switching losses through improved gate control
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 89 A 750 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 23 A 750 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 60 A 750 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 44 A 750 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 75 A 750 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 16 A 750 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 32 A 750 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 44 A 750 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC