STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 290 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- RS-artikelnummer:
- 330-571
- Tillv. art.nr:
- STL300N4F8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
26,21 kr
(exkl. moms)
32,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 980 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 26,21 kr |
| 10 - 99 | 23,52 kr |
| 100 - 499 | 21,73 kr |
| 500 - 999 | 20,16 kr |
| 1000 + | 18,14 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 330-571
- Tillv. art.nr:
- STL300N4F8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 290A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.1mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 167W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.9 mm | |
| Längd | 6mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 290A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.1mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximal effektförlust Pd 167W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.9 mm | ||
Längd 6mm | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
The STMicroelectronics N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in STripFET F8 technology, featuring an enhanced trench gate structure. It delivers a state-of-the-art figure of merit with very low on-state resistance, reduced internal capacitances, and gate charge, enabling faster and more efficient switching.
100% avalanche tested
Low gate charge Qg