STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 373 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT (3,3 x 3,3), STL AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 330-473
- Tillv. art.nr:
- STL130N4LF8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
12,21 kr
(exkl. moms)
15,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 12,21 kr |
| 10 - 99 | 10,98 kr |
| 100 - 499 | 10,19 kr |
| 500 - 999 | 9,41 kr |
| 1000 + | 8,51 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 330-473
- Tillv. art.nr:
- STL130N4LF8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 373A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT (3,3 x 3,3) | |
| Serie | STL | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.6mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 188W | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 373A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerFLAT (3,3 x 3,3) | ||
Serie STL | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.6mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximal effektförlust Pd 188W | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics 40 V and 100 V power MOSFETs with higher power density, enabling the use of smaller packages for a compact system design without compromising electrical performance. They offer improved noise immunity through enhanced filtering of output voltage overshoots.
Optimized gate charge for faster commutation speeds
Higher immunity to spurious turn-on