ROHM 1 Typ P Kanal, MOSFET, 15 A 40 V Avskrivningar, 8 Ben, HSMT-8, HT8KB6

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 10 enheter)*

78,96 kr

(exkl. moms)

98,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
10 - 907,896 kr78,96 kr
100 - 2407,504 kr75,04 kr
250 - 4906,944 kr69,44 kr
500 - 9906,395 kr63,95 kr
1000 +6,16 kr61,60 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
265-123
Tillv. art.nr:
HT8KB6TB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

15A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

HSMT-8

Serie

HT8KB6

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

17.2mΩ

Kanalläge

Avskrivningar

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

10.6nC

Maximal effektförlust Pd

14W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Antal element per chip

1

Fordonsstandard

Nej

The ROHM MOSFET is designed for demanding applications that require exceptional efficiency and reliability. The product's robust design, featuring a low on-resistance and high power capacity, positions it as an ideal choice for motor drives and other power management needs. It stands out with its compact HSMT8 packaging, ensuring ease of integration into various electronic systems.

Halogen free design supports compliance with global environmental standards

Guaranteed 100% Rg and UIS testing for enhanced reliability

Wide operating junction temperature range allows for versatile applications

High pulsed drain current capability supports demanding operational profiles

Relaterade länkar