STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 215-229
- Tillv. art.nr:
- SCT027W65G3-4AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 enhet)*
242,03 kr
(exkl. moms)
302,54 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 04 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 242,03 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-229
- Tillv. art.nr:
- SCT027W65G3-4AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 29mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -10 to 22 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 313W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie SCT | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 29mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -10 to 22 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 313W | ||
Framåtriktad spänning Vf 3V | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode